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半導(dǎo)體硅片
半導(dǎo)體硅片
在IC芯片制造領(lǐng)域中,等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝,不論在芯片源離子的注入,還是晶元的鍍膜,亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的:在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤性。
引線框架的表面處理
引線框架的表面處理
微電子封裝領(lǐng)域采用引線框架的塑封形式,仍占到80%以上,其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架,銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線框架的分層,造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象,同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線鍵合質(zhì)量,確保引線框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵,經(jīng)等離子體處理可達(dá)到引線框架表面超凈化和活化的效果,成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高,并且免除了廢水排放,降低化學(xué)藥水采購成本。
COB/COG/COF
COB/COG/COF
隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展,人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來越高,如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求,而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬像素的手機(jī)中,但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右,而造成的手機(jī)良率不高的原因主要在于離心清洗機(jī)和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物,致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問題,經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機(jī)污染物和活化基材,使其與IR粘接力能提高2~3倍,也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面,極大的提升了banding的一次成功率。
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