在半導體制造等高精度領域，光刻膠的去除是一個至關重要的步驟。為了確保后續工藝的順利進行以及產品質量的穩定，必須徹底、高效地去除光刻膠。
真空等離子清洗機去除光刻膠的過程主要依賴于等離子體的獨特性質。等離子體是由氣體分子在電離過程中產生的，它包含了電子、離子、中性粒子以及激發態的原子和分子。在真空等離子清洗機中，通過加熱和施加高頻電場，氣體分子被電離成等離子體。
當等離子體與光刻膠接觸時，其高能量的帶電粒子會與光刻膠分子發生相互作用。這種相互作用可以引發兩種主要的反應機制：化學降解和物理分解。
化學降解是指等離子體中的活性粒子與光刻膠分子發生化學反應，導致光刻膠分子鏈的斷裂和分解。這些活性粒子具有足夠的能量來打破光刻膠分子中的化學鍵，從而將其分解成較小的分子或原子。這些分解產物隨后被等離子體中的氣流帶走，從而實現光刻膠的去除。
物理分解則是指等離子體中的帶電粒子對光刻膠表面進行物理轟擊，導致其機械性的剝離和去除。由于等離子體中的粒子具有高速運動和撞擊力，它們可以有效地將光刻膠從基材表面剝離下來。
除了化學降解和物理分解外，等離子體還具有一些其他有利于光刻膠去除的特性。例如，等離子體中的紫外線和臭氧等成分可以進一步促進光刻膠的分解和氧化。同時，等離子體還可以產生局部的高溫環境，有助于加速光刻膠的揮發和去除。
